Таперо К. И. , Улимов В. Н. , Членов А. М.

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: монография
 
 
ISBN: 978-5-00101-445-4
УДК: 621.38
ББК: 32.844.1+32.844.02
 
Number of pages: 307
Additional information: 3-е изд. (эл.)
 

No view is available.

The book is accessible only through subscription.

Bibliographic description

Annotation

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Contents

MARC record